IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPW65R190C7XKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.84 |
10+ | $4.346 |
100+ | $3.5607 |
500+ | $3.0312 |
1000+ | $2.5564 |
2000+ | $2.4286 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO247-3 |
Serie | CoolMOS™ C7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 72W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPW65R190 |
IPW65R190C7XKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPW65R190C7XKSA1 PDF - EN.pdf |
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